在端侧人工智能加速落地的背景下，半导体封装技术正成为移动终端性能突围的关键。近期，三星电子正在开发新一代高带宽内存（HBM）封装技术，目标是将高性能AI能力引入智能手机、平板等移动设备。据行业消息，三星在原有垂直铜柱堆叠架构基础上，进一步融合多层堆叠扇出晶圆级封装工艺，并采用超高深宽比铜柱互联方案。
传统移动低功耗内存封装多依赖铜线键合工艺，其输入输出端口通常仅支持128至256个，存在信号损耗偏高、散热效率不足、能效表现受限等问题。此前三星已推出垂直铜柱堆叠技术，通过阶梯式排布存储芯片、以铜柱实现层间连接。此次新方案是在该架构上的重要迭代，将封装铜柱深宽比从原有的3-5:1大幅提升至15-20:1，从而显著扩展数据带宽。
微米级细铜柱在工艺中易出现弯折甚至断裂。为此，三星结合扇出晶圆级封装制程，利用塑封布线结构为铜柱提供物理支撑，既保证信号完整性，也提升良品率。新技术可在芯片面积不变的前提下扩容输入输出端口数量，带宽预计提升15%至30%，内存堆叠容量增幅超过1.5倍。这些改进有望让移动设备本地运行大模型时更加流畅，同时降低功耗。
目前该技术仍处于研发阶段，量产及商用时间表尚未公布。业内分析认为，该方案后续有望应用于猎户座2800迭代版本或猎户座2900处理器中。但也有观点指出，服务器与数据中心领域对高带宽内存的需求持续火热，可能分散三星的研发资源，从而放缓移动端高带宽内存的商业化节奏。
