根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的《内存价格追踪报告》，2026年第一季度，全球内存芯片价格较2025年第四季度大幅上涨80%至90%，DRAM、NAND闪存及HBM（高带宽内存）价格均刷新历史纪录。此轮价格飙升主要受通用服务器DRAM需求急剧攀升的拉动，进而带动全品类内存价格走高。
面对持续攀升的成本压力，下游设备制造商正加快调整产品策略，部分厂商削减内存配置，亦有厂商向高端产品线转型以维持盈利能力。与此同时，存储芯片制造商有望迎来利润水平的空前提升，行业格局正经历深刻调整。
其中，通用服务器DRAM成为此轮涨价的“领涨主力”。受全球人工智能基础设施建设及云服务需求持续扩张推动，服务器对内存容量和性能的要求不断提升，供应持续吃紧，价格随之大幅攀升。以服务器级64GB RDIMM（寄存式双列直插内存模块）为例，其合约价格由2025年第四季度的450美元飙升至2026年第一季度的900美元以上，涨幅超过100%。市场分析预计，该产品价格或在第二季度突破1000美元大关。
同时，上一季度价格相对平稳的NAND闪存市场亦未能独善其身，价格同步上涨80%-90%。此外，应用于AI加速器的高端产品HBM3e价格亦持续上扬。这标志着市场已由结构性短缺转向全面供应紧张阶段。
