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芯片性能提升遇瓶颈  来源:    
随着集成电路技术的不断演进,半导体行业发现摩尔定律在逐渐失效。每颗芯片的晶体管数量持续增加,但时钟速度和热设计功耗自2005年之后就变化不大。于此同时,受先进工艺高成本支出的影响,晶体管成本降幅在2012年后趋缓,甚至越往后还有成本增加的趋势。
 
芯片制程在持续微缩和演进,晶体管数也在相应的增长。在2019年以前,单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进,一直与摩尔定律高度相关。因为单位面积内的晶体管数量,每一周期就会增加一倍,所以在理想情况下,Die的尺寸可保持不变。但是据右下绿色标识的区域显示,可以看到单芯片Die尺寸在日趋增大,这也从另一个角度说明,单芯片晶体管数量的增加,也有Die增大的原因所致。由于Die尺寸的增长,受光罩尺寸、工艺良率等因素制约,这代表通过加大Die Size来提升单芯片算力已经越来越困难。
 
总而言之,随着集成电路技术的发展和演进,每24个月已经很难让单位面积内的晶体管数量翻倍。这意味着,现在芯片性能的提升遭遇了瓶颈,性能无法单纯由工艺技术驱动,也需要由架构创新来驱动。因此,业界必须找到新的解决方案。
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